Halfgeleiderfabrikant Nexperia kondigde vandaag plannen aan om 184 miljoen euro te investeren in de ontwikkeling van de volgende generatie WBG-halfgeleiders (Wide Bandgap Semiconductors) zoals siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN), en om productie-infrastructuur op te zetten op de locatie in Hamburg. Tegelijkertijd zal de waferproductiecapaciteit voor silicium (Si) diodes en transistors worden verhoogd. De investeringen zijn gezamenlijk aangekondigd met de Hamburgse minister van Economische Zaken, Dr. Melanie Leonhard, ter gelegenheid van het 100-jarig bestaan van de productielocatie.
Achim Kempe, COO en managing director
Om te voldoen aan de groeiende langetermijnvraag naar efficiënte vermogenshalfgeleiders, zullen alle drie de technologieën (SiC, GaN en Si) vanaf juni 2024 in Duitsland worden ontwikkeld en geproduceerd. Dit betekent dat Nexperia belangrijke technologieën op het gebied van elektrificatie en digitalisering ondersteunt. SiC- en GaN-halfgeleiders maken energieverslindende toepassingen, zoals datacenters, mogelijk met een uitzonderlijke efficiëntie en zijn kernbouwstenen voor hernieuwbare energietoepassingen en elektromobiliteit. Deze WBG-technologieën hebben een groot potentieel en worden steeds belangrijker voor het behalen van de decarbonisatiedoelstellingen.
“Deze investering versterkt onze positie als toonaangevende leverancier van energiezuinige halfgeleiders en stelt ons in staat om op een meer verantwoorde manier gebruik te maken van de beschikbare elektrische energie”, zegt Achim Kempe, COO en managing director bij Nexperia Duitsland. “In de toekomst zal onze fabriek in Hamburg het complete assortiment WBG-halfgeleiders bestrijken en nog steeds de grootste fabriek zijn voor diodes en transistors voor kleine signalen. We blijven ons inzetten voor onze strategie om kostenefficiënte halfgeleiders van hoge kwaliteit te produceren voor standaardtoepassingen en energie-intensieve toepassingen, en tegelijkertijd een van de grootste uitdagingen van onze generatie aan te pakken: voldoen aan de groeiende vraag naar energie en tegelijkertijd de ecologische voetafdruk verkleinen.”
De eerste productielijnen voor hoogspanning GaN D-Mode transistoren en SiC diodes zijn gestart in juni 2024. De volgende mijlpaal worden moderne en kostenefficiënte 200 mm productielijnen voor SiC MOSFET’s en GaN HEMT’s. Deze zullen in de komende twee jaar worden opgezet in de fabriek in Hamburg. Tegelijkertijd zal de investering helpen om de bestaande infrastructuur op de locatie in Hamburg verder te automatiseren en de productiecapaciteit voor silicium uit te breiden door systematisch over te schakelen op wafers van 200 mm. Na de uitbreiding van de cleanroomruimtes worden er nieuwe R&D-laboratoria gebouwd om ook in de toekomst een naadloze overgang van onderzoek naar productie te garanderen.
De halfgeleiderleverancier verwacht dat het initiatief niet alleen de technologie zal bevorderen, maar ook de lokale economische ontwikkeling zal stimuleren. De investeringen leveren een belangrijke bijdrage aan het veiligstellen en creëren van banen en het vergroten van de zelfvoorzienendheid van de Europese Unie op het gebied van halfgeleiders. Nexperia werkt nauw samen met universiteiten en onderzoeksinstituten om te profiteren van elkaars expertise en hooggekwalificeerde werknemers op te leiden. Nexperia vertrouwt op een robuust ecosysteem voor onderzoek en ontwikkeling in Hamburg en heel Europa. Ontwikkelingspartnerschappen en samenwerkingsverbanden, bijvoorbeeld op het gebied van GaN-technologie als onderdeel van het Industrial Affiliation Program (IIAP) van het onderzoekscentrum voor nano-elektronica imec, spelen een cruciale rol. Deze en andere samenwerkingsverbanden zorgen voor voortdurende innovatie en technologische uitmuntendheid in Nexperia’s producten.
“De geplande investering stelt ons in staat om het ontwerp en de productie van WBG-chips naar Hamburg te halen. SiC en GaN zijn echter geenszins nieuw terrein voor Nexperia. GaN FET’s maken sinds 2019 deel uit van ons portfolio, en in 2023 hebben we ons productassortiment uitgebreid met SiC diodes en SiC MOSFET’s, de laatste in samenwerking met Mitsubishi Electric. Nexperia is een van de weinige leveranciers die een uitgebreid assortiment halfgeleidertechnologieën aanbiedt, waaronder Si, SiC en GaN in zowel e-mode als d-mode. Dit betekent dat we onze klanten een one-stop-shop bieden voor al hun halfgeleiderbehoeften”, legt Stefan Tilger, CFO en managing director bij Nexperia Duitsland, uit.
Link magazine special 2024: The Dutch High-Tech Industry and the European Ecosystem: stronger together. Read this edition digital.
De investering is weer een mijlpaal in de 100-jarige geschiedenis van Nexperia’s productielocatie in Hamburg-Lokstedt. Sinds de oprichting van Valvo Radioröhrenfabrik in 1924 heeft de vestiging zich voortdurend ontwikkeld en levert nu ongeveer een kwart van de wereldwijde vraag naar diodes en transistors voor kleine signalen. Sinds de afsplitsing van NXP in 2017 heeft Nexperia aanzienlijke bedragen geïnvesteerd in de vestiging in Hamburg, het personeelsbestand uitgebreid van 950 tot ongeveer 1.600 en de technologische infrastructuur op het nieuwste niveau gebracht. Deze voortdurende uitgaven onderstrepen de toewijding van het bedrijf om in de voorhoede van de industrie te blijven en zijn klanten wereldwijd innovatieve oplossingen te bieden.
Nexperia, met het hoofdkantoor in Nederland, is een wereldwijd halfgeleiderbedrijf met een rijke Europese geschiedenis en meer dan 14.000 werknemers in Europa, Azië en de Verenigde Staten. Als toonaangevende expert in de ontwikkeling en productie van essentiële halfgeleiders, zorgen Nexperia’s componenten voor de basisfunctionaliteit van vrijwel elk commercieel elektronisch ontwerp ter wereld – van automotive en industriële tot mobiele en consumententoepassingen.
