Vraag naar Halfgeleiderlithografiematerialen daalt 2% in 2023 en neemt met 9,4% toe in 2024.

0

TECHCET , het adviesbureau voor elektronische materialen dat bedrijfs- en technologie-informatie verstrekt over toeleveringsketens van halfgeleiders, voorspelt dat de markt voor halfgeleiderlithografiematerialen licht zal dalen, met een daling van -2% in 2023, wat de neerwaartse trends van de algehele halfgeleidermarkt volgt. Deze vertraging zal naar verwachting van korte duur zijn, aangezien de voorspellingen voor 2024 een groei van 9,4% ten opzichte van 2023 aangeven, zoals benadrukt in de meest recente update van TECHCET voor het Lithography Materials Critical Materials Report™. Het segment lithografiematerialen, datphotoresists en ancillaries (ontwikkelaars, ARCs, BARCs, EBR’s, enz.) omvat, zal naar schatting 4,9% CAGR groeien (2022-2027). Alleen al het segment Hulpmaterialen zal in dezelfde periode naar schatting groeien met een CAGR van 5,1%.

De snelst groeiende lithografische materialen blijven EUV- en dikke KrF-photoresists, die beide worden aangedreven door de introductie van nieuwe technologieën: geavanceerde logica (EUV) en geheugen (DUV). Metaaloxide (MOX) negatieve toon EUV weerstand zal ook tractie krijgen als gevolg van de prestaties mogelijkheden. Oudere technologieën zoals de G &I-lijn zullen naar verwachting ook groei laten zien in verhouding tot waferstarts, terwijl de toonaangevende materialen zullen groeien met een snelheid die afhankelijk is van het aantal lagen voor verschillende apparaattypen en technologieknooppunten.

Link magazine editie februari/maart 2023 | jaargang 25 thema: Volle buffers en toch tekorten. Lees Link digitaal of vraag een exemplaar op: mireille.vanginkel@linkmagazine.nl

Geavanceerde apparaatprocessen hebben als volgt invloed op het materiaalgebruik:

  • Geavanceerde Logic Devices zullen een verhoogd aantal fotolithografiestappen per waferstart blijven vereisen, wat leidt tot meer EUV en verhoogde 193nm (ArF) -lagen. Veel van de huidige immersie 193nm (i193nm) processtappen zullen echter waarschijnlijk worden vervangen door EUV, en i193nm gerelateerde lithografiematerialen zullen ook afnemen.
  • Bij de Gate-All-Around (GAA), ook wel nanosheet of nanoribbon transistors nodes genoemd, wordt backside power rail toegevoegd die nog meer litho stappen zal aansturen.
  • DRAM is ook begonnen met het gebruik van EUV, ter vervanging van enkele ArFi (i193nm) processtappen. Nieuwe DRAM-DEVICES zullen naar verwachting de totale lithostappen per wafer verhogen.
  • 3D NAND zal ook doorgaan met het toevoegen van meer lagen en stapels, waardoor het totale aantal processtappen, inclusief lithografiestappen, per wafer toeneemt.

Andere belangrijke trends die van invloed zijn op materialen zijn de focus op de versterking van de toeleveringsketens in het land en de productie van chips. Dit begint invloed uit te oefenen op oudere chemische makers van fotolithografie. Chinese bedrijven komen bijvoorbeeld naar voren als diazo-photoresists makers, terwijl Koreaanse lithografiemateriaalmakers ook aan kracht winnen.

Ga voor meer informatie over de markt voor lithografiematerialen en het groeitraject, inclusief profielen van leveranciers zoals Avantor, BASF, Brewer Science, DuPont, JSR (Inpria), Chang Chun Petrochemical, TOK, Sumitomo, FujiFilm en meer.

Share.

Reageer

Deze site gebruikt Akismet om spam te verminderen. Bekijk hoe je reactie-gegevens worden verwerkt.

Geverifieerd door ExactMetrics