Samsung Electronics Co., Ltd. heeft vandaag aangekondigd dat het is begonnen met de massaproductie van de kleinste, 14-nanometer (nm), DRAM in de industrie op basis van extreem ultraviolet (EUV) -technologie. Na de verzending van het eerste EUV DRAM in maart vorig jaar, heeft Samsung het aantal EUV-lagen verhoogd tot vijf om het beste, meest geavanceerde DRAM-proces van vandaag voor zijn DDR5-oplossingen te leveren.
“We hebben de DRAM-markt bijna drie decennia geleid door baanbrekende innovaties op het gebied van patroontechnologie”, zegt Jooyoung Lee, senior vice president en hoofd van DRAM Product & Technology bij Samsung Electronics. “Vandaag zet Samsung een nieuwe technologische mijlpaal met meerlaagse EUV die extreme miniaturisatie op 14nm mogelijk heeft gemaakt – een prestatie die niet mogelijk is met het conventionele argonfluoride (ArF) -proces. Voortbouwend op deze vooruitgang zullen we de meest gedifferentieerde geheugenoplossingen blijven bieden door volledig in te gaan op de behoefte aan betere prestaties en capaciteit in de datagestuurde wereld van 5G, AI en het metaverse.”
Naarmate DRAM het 10nm-bereik blijft afschalen, wordt EUV-technologie steeds belangrijker om de patroonnauwkeurigheid te verbeteren voor hogere prestaties en grotere opbrengsten. Door vijf EUV-lagen toe te passen op zijn 14nm DRAM, heeft Samsung de hoogste bitdichtheid bereikt en tegelijkertijd de algehele waferproductiviteit met ongeveer 20% verbeterd. Bovendien kan het 14nm-proces helpen het stroomverbruik met bijna 20% te verlagen in vergelijking met het DRAM-knooppunt van de vorige generatie.
Lees Link magazine digitaal of vraag een exemplaar op: mireille.vanginkel@linkmagazine.nl’
Door gebruik te maken van de nieuwste DDR5-standaard, zal het 14nm DRAM van Samsung helpen bij het ontgrendelen van ongekende snelheden tot 7,2 gigabit per seconde (Gbps), wat meer dan twee keer de DDR4-snelheid van maximaal 3,2 Gbps is.
Samsung is van plan zijn 14nm DDR5-portfolio uit te breiden om datacenter-, supercomputer- en bedrijfsservertoepassingen te ondersteunen. Ook verwacht Samsung zijn 14nm DRAM-chipdichtheid te laten groeien tot 24Gb om beter te voldoen aan de snelgroeiende data-eisen van wereldwijde IT-systemen.
