ASM International heeft een overeenkomst getekend met de Universiteit van Helsinki voor de oprichting en financiering van het Atomic Layer Deposition Center of Excellence (ALD CoE) op de wetenschapscampus Kumpula van de universiteit. Het vijfjarige partnership is een belangrijke impuls voor de samenwerking die het ASMI al bijna twee decennia met de universiteit onderhoudt. Als onderdeel van de overeenkomst zal het ASMI zijn huidige financiering aan de universiteit verhogen. Ook zal het team van ASM Microchemistry Oy worden uitgebreid. ASMI’s dochteronderneming, die sinds haar oprichting in 1987 ‘baanbrekend’ werk heeft verricht op het gebied van de ALD, is samen met de Universiteit van Helsinki gevestigd in Kumpula. Aldus persinformatie van ASMI.
ALD is een geavanceerde technologie om dunne-filmmaterialen conform en met nauwkeurige controle over dikte en samenstelling af te zetten. ALD en andere atomaire laagprocédés spelen een steeds kritischer rol in halfgeleidertechnologieën nu de wet van Moore halfgeleiderelementen naar het Ångström-regime op atomaire schaal (1 Ångström = 1/10 nanometer) en complexe verticale 3D-structuren drijft. De Helsinki ALD-groep aan de universiteit heeft wereldwijd erkenning gekregen voor innovaties op het gebied van ALD-chemie, en het hoogwaardige onderzoek van deze groep – in samenwerking met het ASMI – heeft geleid tot een aantal doorbraken in halfgeleidertoepassingen.
De ALD CoE zal op dit succes voortbouwen en zich concentreren op onderzoek rond ALD dat nodig is voor toekomstige halfgeleidertechnologieën. Teams zullen nieuwe onderzoeksmethoden ontwikkelen en aanpassen voor de studie van mechanistische details van atomaire laagprocessen. Zij zullen gebruik maken van de recentelijk geïnstalleerde ALD-cluster van ultrahoogvacuüm-oppervlakteanalysetechnieken in het departement scheikunde van de universiteit en de versnellerlaboratoria in het departement natuurkunde. Het uiteindelijke doel is het ontwerpen van nieuwe precursoren, processen en materialen die een grote wetenschappelijke en technische impact zullen hebben.
Doorbraken
Benjamin Loh, CEO van ASM International, zegt: “De ALD Center of Excellence-overeenkomst betekent een aanzienlijke uitbreiding van onze bijna 20 jaar durende succesvolle samenwerking met de Universiteit van Helsinki. We zijn zeer enthousiast over dit partnerschap dat gericht is op doorbraken rond ALD die toekomstige halfgeleidertechnologieën mogelijk zullen maken.”
Hij vervolgt: “De nieuw gevormde ALD CoE zal de kracht van Europa op het gebied van ALD-technologie verder uitbouwen als essentieel onderdeel van de Europese halfgeleiderinfrastructuur en zo de strategische doelstellingen van de European Chips Act helpen verwezenlijken.”
Paula Eerola, Vice-Rector aan de Universiteit van Helsinki, zegt: “De samenwerking met ASM, die uitzonderlijk is in termen van tijdspanne en reikwijdte, is zeer waardevol voor de Universiteit van Helsinki.”
Professor Mikko Ritala, die aan het hoofd staat van de HelsinkiALD-groep van de universiteit, voegt hieraan toe: “Onze onderzoeksgroep heeft grote waardering voor de samenwerking met ASMI, die ons brengt naar het gebied waar de grenzen tussen fundamenteel en toegepast onderzoek verdwijnen. De onderzoeksvragen die we behandelen zijn fundamenteel van aard, maar onze resultaten kunnen praktisch nut hebben in de toekomstige halfgeleiders”.